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環(huán)境設(shè)備測(cè)試的基本要求

1）對(duì)基本環(huán)境條件的要求，綜合在一起主要有下列幾項(xiàng)：

　　A）溫度：15℃～35℃；

　　B）相對(duì)濕度：不大于85%RH；

　　C）大氣壓強(qiáng)：86Kpa～106Kpa；

　　D）熱輻射：無(wú)陽(yáng)光直射，無(wú)熱源直接輻射；

　　E）氣流：無(wú)強(qiáng)烈氣流，需要時(shí)不可直接吹到箱體上；

　　F）電磁場(chǎng)：無(wú)強(qiáng)烈電磁場(chǎng)；

　　G）三廢：無(wú)高濃度粉塵及腐蝕性物質(zhì)；

　　H）冷卻水源：水溫不大于30℃，水壓控制在0.1～0.3Mpa；

　　I）加濕水源：電阻率不低于500Ω·m 。

　　J）電源：220±22V、380±38V、50±0.5Hz。

2）負(fù)載要求

　　A）負(fù)載品種：一般可用電工、電子產(chǎn)品或其它產(chǎn)品、零部件及絕緣材料等（鹽霧試驗(yàn)除外）。

　　B）負(fù)載條件：

——負(fù)載總質(zhì)量：50～80Kg/m3；

——負(fù)載總體積：不大于工作室容積的1/5；

——阻擋主風(fēng)道總面積：不大于主風(fēng)道所處工作室截面積的1/3。

　　鹽霧試驗(yàn)設(shè)備：

——規(guī)格：50×100×（1～2）mm；

——種類：金屬；

——樣品數(shù)：160塊/m2(工作室水平面面積計(jì))。